Výrobca Číslo produktu:
STB26N60M2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STB26N60M2-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 169W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
12878635
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STB26N60M2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™ M2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
165mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1360 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
169W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
STB26
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
497-17546-6
497-17546-1
497-17546-2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPB60R160C6ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3347
ČÍSLO DIELU
IPB60R160C6ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.71
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPB60R180P7ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2501
ČÍSLO DIELU
IPB60R180P7ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.88
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STU6N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
STU13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
STB11N65M5
MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
