Výrobca Číslo produktu:
STB5NK52ZD-1
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STB5NK52ZD-1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 520 V 4.4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventár:
12876070
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STB5NK52ZD-1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
SuperMESH™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
520 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
529 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
70W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I2PAK
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
STB5N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-497-5952-5
1805-STB5NK52ZD-1
497-5952-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF830ALPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IRF830ALPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.89
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP5NK52ZD
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1348
ČÍSLO DIELU
STP5NK52ZD-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.85
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STFW6N120K3
MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
STP60NE06L-16
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
STL3NM60N
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
