Výrobca Číslo produktu:
STD13N60DM2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STD13N60DM2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
2498 Ks Nové Originálne Na Sklade
12874412
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STD13N60DM2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
365mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
730 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
110W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
STD13
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
497-16926-1
497-16926-2
497-16926-6
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
R6013VND3TL1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2561
ČÍSLO DIELU
R6013VND3TL1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.17
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPD60R380P6ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPD60R380P6ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.69
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STE145N65M5
MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
STF26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
STF21N90K5
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220FP
