Výrobca Číslo produktu:
IPD60R380P6ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD60R380P6ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
12805161
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD60R380P6ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ P6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 320µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
877 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD60R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SP001135814
IPD60R380P6ATMA1DKR
IPD60R380P6ATMA1CT
IPD60R380P6ATMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
AOD11S60
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5786
ČÍSLO DIELU
AOD11S60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.87
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD950P06NMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V TO252-3
IPW60R070C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
IPD25CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
