Výrobca Číslo produktu:
STD6N60DM2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STD6N60DM2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventár:
12877330
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STD6N60DM2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.75V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
274 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
STD6N60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK5P60W,RVQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9180
ČÍSLO DIELU
TK5P60W,RVQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.68
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCD5N60TM-WS
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1550
ČÍSLO DIELU
FCD5N60TM-WS-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.66
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCD4N60TM
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10613
ČÍSLO DIELU
FCD4N60TM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.61
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP16NF06FP
MOSFET N-CH 60V 11A TO220FP
STP20NM65N
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
STD7NM80-1
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
