Výrobca Číslo produktu:
STD6N65M2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STD6N65M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
2496 Ks Nové Originálne Na Sklade
12872660
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STD6N65M2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
226 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
STD6N65
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
497-15049-6
497-15049-1
497-15049-2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPD70R1K4P7SAUMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20689
ČÍSLO DIELU
IPD70R1K4P7SAUMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.18
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SPD04N80C3ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
21919
ČÍSLO DIELU
SPD04N80C3ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STF33N60DM6
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
STF7N52DK3
MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
STH15NB50FI
MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
