Výrobca Číslo produktu:
STF4LN80K5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STF4LN80K5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventár:
1998 Ks Nové Originálne Na Sklade
12878177
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STF4LN80K5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ K5
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.6Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
122 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
20W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
STF4LN80
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
STF4LN80K5-DG
497-17292
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP60NE06-16
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
STFU6N65
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
SCT10N120
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
