Výrobca Číslo produktu:
STF8N60DM2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STF8N60DM2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FPAB
Inventár:
12875568
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STF8N60DM2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
449 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220FPAB
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
STF8
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK560A65Y,S4X
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5
ČÍSLO DIELU
TK560A65Y,S4X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
AOTF12N60L
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
398
ČÍSLO DIELU
AOTF12N60L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STN1HNK60
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
STB27NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
STW35N65DM2
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
