Výrobca Číslo produktu:
STFI20NM65N
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STFI20NM65N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 15A I2PAKFP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventár:
1500 Ks Nové Originálne Na Sklade
12877299
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STFI20NM65N Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
270mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1280 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-281 (I2PAKFP)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Základné číslo produktu
STFI20N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-497-14556-5
497-14556-5
STFI20NM65N-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STI18N65M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
229
ČÍSLO DIELU
STI18N65M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.05
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP32NM50N
MOSFET N CH 500V 22A TO-220
STWA57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A TO247
STP9NK65ZFP
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220FP
