Výrobca Číslo produktu:
STFI24N60M2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STFI24N60M2-DG
Popis:
MOSFET N CH 600V 18A TO281
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventár:
481 Ks Nové Originálne Na Sklade
12877659
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STFI24N60M2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ II Plus
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1060 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-281 (I2PAKFP)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Základné číslo produktu
STFI24N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-13598-5
-497-13598-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPI60R190C6XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
495
ČÍSLO DIELU
IPI60R190C6XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.43
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STF24N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1112
ČÍSLO DIELU
STF24N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.25
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STF16N50U
MOSFET N-CH 500V 15A TO220FP
STW26NM60
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
STD150NH02L-1
MOSFET N-CH 24V 150A IPAK
