Výrobca Číslo produktu:
STFI260N6F6
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STFI260N6F6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 41.7W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Inventár:
297 Ks Nové Originálne Na Sklade
12873501
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STFI260N6F6 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
11400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
41.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I2PAKFP (TO-281)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Základné číslo produktu
STFI260N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-497-14194-5
497-14194-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STV300NH02L
MOSFET N-CH 24V 200A 10POWERSO
STB5N80K5
MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
STH265N6F6-6AG
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
