Výrobca Číslo produktu:
STL22N65M5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STL22N65M5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 2.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventár:
12875821
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STL22N65M5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™ V
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
210mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1345 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 110W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerFlat™ (8x8) HV
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
STL22
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
497-13600-2
497-13600-1
-497-13600-2
497-13600-2-DG
497-STL22N65M5DKR
-497-13600-1
497-13600-1-DG
497-STL22N65M5CT
-497-13600-6
497-13600-6
497-STL22N65M5TR
497-13600-6-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP3NK50Z
MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
STW74NF30
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
STH310N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
