Výrobca Číslo produktu:
STP12NM50
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP12NM50-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
756 Ks Nové Originálne Na Sklade
12877100
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP12NM50 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
350mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
160W (Tc)
Prevádzková teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP12
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-2666-5
1026-STP12NM50
497-2666-5-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP5N120
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
STL16N65M2
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
