Výrobca Číslo produktu:
STP23NM50N
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP23NM50N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12878733
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP23NM50N Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1330 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP23
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-10883-5
-497-10883-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPP50R199CPXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
476
ČÍSLO DIELU
IPP50R199CPXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.49
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFB20N50KPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
912
ČÍSLO DIELU
IRFB20N50KPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.28
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPP50R190CEXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPP50R190CEXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.80
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP7NK80Z
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
STU6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
STP95N2LH5
MOSFET N-CH 25V 80A TO220AB
