Výrobca Číslo produktu:
STP33N60DM6
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP33N60DM6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12879538
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP33N60DM6 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ M6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
128mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.75V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1500 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
190W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP33
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCP130N60
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
127
ČÍSLO DIELU
FCP130N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.72
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R6024VNX3C16
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1066
ČÍSLO DIELU
R6024VNX3C16-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.43
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STW28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
STW27NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
STB16NS25T4
MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK