Výrobca Číslo produktu:
STP35N65DM2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP35N65DM2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12876724
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP35N65DM2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
110mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
56.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2540 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP35
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW35N65DM2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
360
ČÍSLO DIELU
STW35N65DM2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.01
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
FCP130N60
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
127
ČÍSLO DIELU
FCP130N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.72
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP80NF06
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
STF26NM60N-H
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
STW6N95K5
MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3
