Výrobca Číslo produktu:
STP3LN62K3
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP3LN62K3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 620 V 2.5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
964 Ks Nové Originálne Na Sklade
12872613
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP3LN62K3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH3™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
620 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
386 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP3LN
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-11231-5
-497-11231-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFBE30PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2597
ČÍSLO DIELU
IRFBE30PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.83
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTP4N80P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTP4N80P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.10
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STF2N62K3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
729
ČÍSLO DIELU
STF2N62K3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.59
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STF6N95K5
N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A
PHP176NQ04T,127
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
STFH24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
