Výrobca Číslo produktu:
STD18N65M5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STD18N65M5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
12872659
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STD18N65M5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™ V
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
220mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1240 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
110W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
STD18
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
497-13088-6
497-13088-2
497-13088-1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPD65R225C7ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3863
ČÍSLO DIELU
IPD65R225C7ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.04
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPD60R280P7SAUMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2511
ČÍSLO DIELU
IPD60R280P7SAUMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.43
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STD6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
STF33N60DM6
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
STF7N52DK3
MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
