Výrobca Číslo produktu:
STP3NB100
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP3NB100-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12877206
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP3NB100 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
PowerMESH™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP3N
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-2641-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTP2N100
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTP2N100-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.24
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTP2N100P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
136
ČÍSLO DIELU
IXTP2N100P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.49
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP5NK100Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3779
ČÍSLO DIELU
STP5NK100Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.69
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STI10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
STD4NK50Z-1
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
STFW12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A ISOWATT
