Výrobca Číslo produktu:
STP9N60M2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP9N60M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
20 Ks Nové Originálne Na Sklade
12880106
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP9N60M2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ II Plus
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
780mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
320 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP9N60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-497-13843-5
497-13843-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFB9N60APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2220
ČÍSLO DIELU
IRFB9N60APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.22
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFP10N60P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
70
ČÍSLO DIELU
IXFP10N60P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.73
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
AOT10N60
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
769
ČÍSLO DIELU
AOT10N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STY60NK30Z
MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
STU85N3LH5
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
STS6PF30L
MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
