Výrobca Číslo produktu:
STU16N60M2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STU16N60M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventár:
12877319
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STU16N60M2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
MDmesh™ M2
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
320mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
110W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
STU16N
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
497-16025-5
-497-16025-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW42N60M2-EP
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
480
ČÍSLO DIELU
STW42N60M2-EP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.16
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STE26NA90
MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
STD6N60DM2
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STP16NF06FP
MOSFET N-CH 60V 11A TO220FP
