STU3LN80K5
Výrobca Číslo produktu:

STU3LN80K5

Product Overview

Výrobca:

STMicroelectronics

Číslo dielu:

STU3LN80K5-DG

Popis:

MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)

Inventár:

Online RFQ
12875290
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

STU3LN80K5 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ K5
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.25Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2.63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
102 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
IPAK (TO-251)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
STU3LN80

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
STx3N80K5 STP3LN80K5, STU3LN80K5 Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
75
Iné mená
STU3LN80K5-DG
497-17295

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STD3PK50Z

MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK

stmicroelectronics

STP24N65M2

MOSFET N-CH 650V 16A TO220

stmicroelectronics

STS4DNFS30

MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO

stmicroelectronics

STW75N60DM6

MOSFET N-CH 600V 72A TO247