Výrobca Číslo produktu:
STU6N65K3
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STU6N65K3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 5.4A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventár:
12878793
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STU6N65K3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
SuperMESH3™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
880 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
110W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
STU6N65
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
-497-13593-5
497-13593-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPU80R1K4P7AKMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6
ČÍSLO DIELU
IPU80R1K4P7AKMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.35
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPS65R950C6AKMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
150
ČÍSLO DIELU
IPS65R950C6AKMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.66
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP7NK40Z
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB
STB18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
STU8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
