Výrobca Číslo produktu:
STW12NK80Z
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STW12NK80Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 10.5A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventár:
12880047
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STW12NK80Z Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
750mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2620 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
190W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
STW12
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
497-3256-5
497-3256-5-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFH14N80P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFH14N80P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.72
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFH16N80P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
295
ČÍSLO DIELU
IXFH16N80P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.52
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SPW11N80C3FKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2520
ČÍSLO DIELU
SPW11N80C3FKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.49
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STI28N60M2
MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
STF18NM80
MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
STP130NH02L
MOSFET N-CH 24V 90A TO220
