Výrobca Číslo produktu:
CSD18543Q3AT
Product Overview
Výrobca:
Texas Instruments
Číslo dielu:
CSD18543Q3AT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 12A (Ta), 60A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)
Inventár:
10097 Ks Nové Originálne Na Sklade
12788608
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
CSD18543Q3AT Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Texas Instruments
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15.6mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.7V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1150 pF @ 30 V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
66W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-VSONP (3x3.3)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
CSD18543
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Produktová stránka výrobcu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
250
Iné mená
296-45302-2
296-45302-1
296-45302-6
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CSD22202W15
MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
CSD13303W1015
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
CSD17313Q2
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
