Výrobca Číslo produktu:
CSD19531KCS
Product Overview
Výrobca:
Texas Instruments
Číslo dielu:
CSD19531KCS-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
163 Ks Nové Originálne Na Sklade
12794240
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
CSD19531KCS Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Texas Instruments
Balenie
Tube
Seriál
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3870 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
214W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
CSD19531
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-CSD19531KCS-NDR
2156-CSD19531KCS
-296-37480-5-DG
296-37480-5
TEXTISCSD19531KCS
296-37480-5-NDR
CSD19531KCS-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
LND01K1-G
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
CSD18511Q5AT
MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
CSD18563Q5AT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
