Výrobca Číslo produktu:
2SK2231(TE16R1,NQ)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
2SK2231(TE16R1,NQ)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Inventár:
12889782
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SK2231(TE16R1,NQ) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
160mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
370 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
20W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PW-MOLD
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
2SK2231
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
2SK2231TE16RQTR
2SK2231 (TE16R1,NQ)
2SK2231TE16RQCT
2SK2231TE16RQDKR
2SK2231TE16R1NQ
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK25S06N1L,LQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1488
ČÍSLO DIELU
TK25S06N1L,LQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.35
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SK2719(F)
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
SSM3J355R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
SSM3K339R,LF
MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
