2SK3462(TE16L1,NQ)
Výrobca Číslo produktu:

2SK3462(TE16L1,NQ)

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

2SK3462(TE16L1,NQ)-DG

Popis:

MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 3A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD

Inventár:

12891599
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

2SK3462(TE16L1,NQ) Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.7Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
267 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
20W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PW-MOLD
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
2SK3462

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

TPN11006NL,LQ

MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK4017(Q)

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2

diodes

DMN3026LVTQ-7

MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

diodes

DMN3016LFDF-7

MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN