Výrobca Číslo produktu:
RN1107,LF(CT
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1107,LF(CT-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventár:
20341 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889171
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1107,LF(CT Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
10 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
47 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
250 MHz
Výkon - Max
100 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-75, SOT-416
Balík zariadení dodávateľa
SSM
Základné číslo produktu
RN1107
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN1107T5LFT
RN1107LF(CTCTINACTIVE
RN1107LF(CBTR
RN1107LF(CBDKR-DG
RN1107LF(CTDKRINACTIVE
RN1107LF(CTCT
RN1107(T5LFT)DKR
RN1107(T5LFT)CT
RN1107LF(CBCT-DG
RN1107LF(CTTRINACTIVE
RN1107LF(CTDKR
RN1107LF(CBDKR
RN1107(T5L,F,T)
RN1107,LF(CB
RN1107LF(CTTR
RN1107LF(CBCT
RN1107(T5LFT)TR
RN1107LF(CBTR-DG
RN1107(T5LFT)CT-DG
RN1107(T5LFT)TR-DG
RN1107(T5LFT)DKR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1104MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1114(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1416,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI