Výrobca Číslo produktu:
RN1109MFV,L3F
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1109MFV,L3F-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventár:
12891145
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1109MFV,L3F Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
47 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
22 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-723
Balík zariadení dodávateľa
VESM
Základné číslo produktu
RN1109
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
RN1109MFV,L3F(B
RN1109MFVL3F
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1118MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1311,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN2106(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
