Výrobca Číslo produktu:
RN2422TE85LF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN2422TE85LF-DG
Popis:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 800 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventár:
4309 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891167
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN2422TE85LF Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
800 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
2.2 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
2.2 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
65 @ 100mA, 1V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 50mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
200 MHz
Výkon - Max
200 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balík zariadení dodávateľa
S-Mini
Základné číslo produktu
RN2422
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN2422(TE85L,F)
RN2422TE85LF-DG
264-RN2422TE85LFCT
264-RN2422TE85LFTR
264-RN2422TE85LFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1306,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1110MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2104ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
