Výrobca Číslo produktu:
RN1117(T5L,F,T)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1117(T5L,F,T)-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventár:
12889759
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1117(T5L,F,T) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
10 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
4.7 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
250 MHz
Výkon - Max
100 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-75, SOT-416
Balík zariadení dodávateľa
SSM
Základné číslo produktu
RN1117
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN1117 (T5L,F,T)
RN1117(T5LFT)TR
RN1117(T5LFT)CT
RN1117T5LFT
RN1117(T5LFT)DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DDTC114WE-7-F
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DDTC114WE-7-F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RN1117MFV,L3F
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
RN1117MFV,L3F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.02
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1415,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1406S,LF(D
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1116,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
