Výrobca Číslo produktu:
RN1117MFV,L3F
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1117MFV,L3F-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
Inventár:
12890995
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1117MFV,L3F Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
10 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
4.7 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
250 MHz
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-723
Balík zariadení dodávateľa
VESM
Základné číslo produktu
RN1117
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
RN1117MFVL3F
RN1117MFVL3F-DG
264-RN1117MFV,L3FTR
264-RN1117MFV,L3FDKR
264-RN1117MFV,L3FCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN2106,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN2310,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN1403,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
