Výrobca Číslo produktu:
RN1605TE85LF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1605TE85LF-DG
Popis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventár:
73 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891783
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1605TE85LF Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
2.2kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
47kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-74, SOT-457
Balík zariadení dodávateľa
SM6
Základné číslo produktu
RN1605
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN1605TE85LFCT
RN1605TE85LFDKR
RN1605(TE85L,F)
RN1605TE85LFTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PEMH10,115
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7750
ČÍSLO DIELU
PEMH10,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.07
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DCX144EU-7-F
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
RN2902FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
RN2905FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
