RN2103ACT(TPL3)
Výrobca Číslo produktu:

RN2103ACT(TPL3)

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

RN2103ACT(TPL3)-DG

Popis:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Inventár:

10000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891284
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

RN2103ACT(TPL3) Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
80 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
22 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
22 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Výkon - Max
100 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-101, SOT-883
Balík zariadení dodávateľa
CST3
Základné číslo produktu
RN2103

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
10,000
Iné mená
RN2103ACT(TPL3)TR
RN2103ACT(TPL3)CT
RN2103ACT(TPL3)DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2111MFV,L3F

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2110ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1425TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1427TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI