Výrobca Číslo produktu:
RN2116,LF(CT
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN2116,LF(CT-DG
Popis:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventár:
3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891140
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
a9rM
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN2116,LF(CT Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
4.7 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
10 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
200 MHz
Výkon - Max
100 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-75, SOT-416
Balík zariadení dodávateľa
SSM
Základné číslo produktu
RN2116
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN2116LF(CBTR
RN2116,LF(CTCT
RN2116LF(CBCT-DG
RN2116LF(CBTR-DG
RN2116(T5LFT)DKR-DG
RN2116(T5LFT)CT
RN2116,LF(CTTR
RN2116(T5LFT)TR
RN2116,LF(CB
RN2116LF(CBCT
RN2116LF(CBDKR
RN2116(T5L,F,T)
RN2116(T5LFT)TR-DG
RN2116LF(CTTR
RN2116(T5LFT)CT-DG
RN2116(T5LFT)DKR
RN2116,LF(CTDKR
RN2116LF(CTCT
RN2116LF(CBDKR-DG
RN2116LF(CTDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1109MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1118MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1311,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
