RN2318(TE85L,F)
Výrobca Číslo produktu:

RN2318(TE85L,F)

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

RN2318(TE85L,F)-DG

Popis:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Inventár:

3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891358
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

RN2318(TE85L,F) Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
47 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
10 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
200 MHz
Výkon - Max
100 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-70, SOT-323
Balík zariadení dodávateľa
SC-70
Základné číslo produktu
RN2318

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN2318(TE85LF)-DG
RN2318(TE85LF)TR
RN2318(TE85LF)DKR
RN2318(TE85LF)
RN2318(TE85LF)CT
RN2318TE85LF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1110,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1109,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2103,LF(CT

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1308,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70