Výrobca Číslo produktu:
RN2417(TE85L,F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN2417(TE85L,F)-DG
Popis:
TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventár:
2651 Ks Nové Originálne Na Sklade
13275898
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN2417(TE85L,F) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
10 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
4.7 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
200 MHz
Výkon - Max
200 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balík zariadení dodávateľa
S-Mini
Základné číslo produktu
RN2417
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
264-RN2417(TE85LF)TR
264-RN2417(TE85LF)DKR
264-RN2417(TE85LF)CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN2116MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN1101MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1410,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI