Výrobca Číslo produktu:
RN2907(T5L,F,T)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN2907(T5L,F,T)-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Inventár:
12889091
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN2907(T5L,F,T) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
10kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
47kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
200MHz
Výkon - Max
200mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
US6
Základné číslo produktu
RN2907
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN2907(T5LFT)DKR
RN2907(T5LFT)TR
RN2907(T5LFT)CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PUMB9,125
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10
ČÍSLO DIELU
PUMB9,125-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.02
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
MUN5114DW1T1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13071
ČÍSLO DIELU
MUN5114DW1T1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1611(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN4985FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
RN4990(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6