Výrobca Číslo produktu:
RN4906FE,LF(CT
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN4906FE,LF(CT-DG
Popis:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventár:
4000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889128
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN4906FE,LF(CT Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
4.7kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
47kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
200MHz
Výkon - Max
100mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
ES6
Základné číslo produktu
RN4906
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
RN4906FELF(CTCT
RN4906FELF(CBTR
RN4906FE(TE85LF)TR-DG
RN4906FE(TE85LF)CT
RN4906FELF(CBCT
RN4906FELF(CTDKR
RN4906FE,LF(CB
RN4906FELF(CBDKR-DG
RN4906FELF(CBCT-DG
RN4906FE(TE85LF)DKR
RN4906FE(TE85LF)TR
RN4906FELF(CTTR
RN4906FELF(CBDKR
RN4906FE(TE85LF)CT-DG
RN4906FELF(CBTR-DG
RN4906FE(TE85LF)DKR-DG
RN4906FE(TE85L,F)
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN4987FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2962FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2711(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
