Výrobca Číslo produktu:
RN2962FE(TE85L,F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN2962FE(TE85L,F)-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventár:
12889155
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN2962FE(TE85L,F) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
10kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
1kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
200MHz
Výkon - Max
100mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
ES6
Základné číslo produktu
RN2962
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
RN2962FE(TE85LF)TR
RN2962FE(TE85LF)DKR
RN2962FE(TE85LF)CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PEMB11,115
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8520
ČÍSLO DIELU
PEMB11,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.07
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN2711(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
RN4984,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1701,LF
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
