Výrobca Číslo produktu:
SSM3J352F,LF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM3J352F,LF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventár:
5843 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891504
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM3J352F,LF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVI
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
110mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
210 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.2W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
S-Mini
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
SSM3J352
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SSM3J352FLFDKR
SSM3J352F,LF(B
SSM3J352FLF(B
SSM3J352FLFCT
SSM3J352FLF
SSM3J352FLFTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN10H170SK3Q-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252
SSM3K35AMFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
2SK1119(F)
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
