Výrobca Číslo produktu:
SSM6L14FE(TE85L,F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM6L14FE(TE85L,F)-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 800mA (Ta), 720mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventár:
1547 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889409
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM6L14FE(TE85L,F) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
800mA (Ta), 720mA (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
90pF @ 10V, 110pF @ 10V
Výkon - Max
150mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
ES6
Základné číslo produktu
SSM6L14
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
SSM6L14FE(TE85LF)DKR
SSM6L14FE(TE85LF)CT
SSM6L14FE(TE85LF)TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM6L13TU(T5L,F,T)
MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
SSM6N7002BFE,LM
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
SSM6N67NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
