Výrobca Číslo produktu:
SSM6N7002BFE,LM
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM6N7002BFE,LM-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 200mA 150mW Surface Mount ES6
Inventár:
41588 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889431
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM6N7002BFE,LM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
200mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
-
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
17pF @ 25V
Výkon - Max
150mW
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
ES6
Základné číslo produktu
SSM6N7002
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
SSM6N7002BFE,LM(B
SSM6N7002BFE,LM(T
SSM6N7002BFELMDKR
SSM6N7002BFELMTR
SSM6N7002BFELMCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM6N67NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
SSM6N44FU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
SSM6N16FE,L3F
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A ES6