Výrobca Číslo produktu:
SSM6P16FE(TE85L,F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM6P16FE(TE85L,F)-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventár:
12889331
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM6P16FE(TE85L,F) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100mA (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
11 pF @ 3 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
ES6
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Základné číslo produktu
SSM6P16
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
SSM6P16FE(TE85LF)TR
SSM6P16FETE85LF
SSM6P16FE(TE85LF)CT
SSM6P16FE(TE85LF)DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK6P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
TK20N60W5,S1VF
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
TK31N60W5,S1VF
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
