Výrobca Číslo produktu:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 50A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventár:
2000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889173
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVI
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
13.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+10V, -20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6290 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK+
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
TJ50S06
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
TJ50S06M3LT6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR
TJ50S06M3L(T6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT-DG
TJ50S06M3L(T6L1NQ-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1NQCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMT6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
SSM3J66MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
2SK3466(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
