Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
TK10E60W,S1VX
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK10E60W,S1VX-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
30 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890763
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK10E60W,S1VX Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
TK10E60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
TK10E60W
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK10E60W,S1VX(S
TK10E60WS1VX
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFP12N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
290
ČÍSLO DIELU
IXFP12N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.73
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCPF11N60
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
461
ČÍSLO DIELU
FCPF11N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.58
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP15N80K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
600
ČÍSLO DIELU
STP15N80K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.03
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCP380N60E
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
25616
ČÍSLO DIELU
FCP380N60E-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.30
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP13NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
649
ČÍSLO DIELU
STP13NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.01
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPH1110ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
SSM3J133TU,LF
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
TK16E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK