TK10E60W,S1VX
Výrobca Číslo produktu:

TK10E60W,S1VX

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

TK10E60W,S1VX-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220

Inventár:

30 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890763
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

TK10E60W,S1VX Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
TK10E60

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
TK10E60W,S1VX(S
TK10E60WS1VX

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IXFP12N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
290
ČÍSLO DIELU
IXFP12N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.73
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCPF11N60
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
461
ČÍSLO DIELU
FCPF11N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.58
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP15N80K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
600
ČÍSLO DIELU
STP15N80K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.03
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCP380N60E
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
25616
ČÍSLO DIELU
FCP380N60E-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.30
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP13NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
649
ČÍSLO DIELU
STP13NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.01
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1110ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J133TU,LF

MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM

toshiba-semiconductor-and-storage

TK16E60W,S1VX

MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

TK100S04N1L,LQ

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK