Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
TK11P65W,RQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK11P65W,RQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 11.1A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
485 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890836
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK11P65W,RQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.1A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 450µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
890 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
TK11P65
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
TK11P65W
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
264-TK11P65W,RQCT
TK11P65W,RQ(S
TK11P65WRQDKR
TK11P65WRQTR-DG
TK11P65WRQCT-DG
TK11P65WRQDKR-DG
TK11P65WRQCT
TK11P65WRQTR
264-TK11P65W,RQTR
264-TK11P65W,RQDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SPD07N60C3ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4363
ČÍSLO DIELU
SPD07N60C3ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.96
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPD60R600P7SAUMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9704
ČÍSLO DIELU
IPD60R600P7SAUMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STD11N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6591
ČÍSLO DIELU
STD11N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.73
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCD7N60TM
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5978
ČÍSLO DIELU
FCD7N60TM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.91
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFY8N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
50
ČÍSLO DIELU
IXFY8N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.40
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK50P03M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 30V 50A DP
TK46A08N1,S4X
MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
TK6A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
TK31V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN