Výrobca Číslo produktu:
TK13E25D,S1X(S
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK13E25D,S1X(S-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 13A (Ta) 102W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
44 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889248
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK13E25D,S1X(S Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
250mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1100 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
102W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
TK13E25
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK13E25DS1XS
TK13E25DS1X(S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF644PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1392
ČÍSLO DIELU
IRF644PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3J372R,LF
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
TK20C60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
TK8A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
