Výrobca Číslo produktu:
TK16A60W,S4X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK16A60W,S4X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
12891120
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK16A60W,S4X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 790µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1350 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK16A60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK16A60WS4X
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
R6024KNX
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
451
ČÍSLO DIELU
R6024KNX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.13
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPA60R180P7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
484
ČÍSLO DIELU
IPA60R180P7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.07
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STF21N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
998
ČÍSLO DIELU
STF21N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.11
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK7A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS
TPC8042(TE12L,Q,M)
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TP89R103NL,LQ
MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
